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4688美高梅微推出全新通用快充和谈芯片RK835及RK837

2021-04-21

        VOOC闪充和谈芯片之后,4688美高梅微近日推出了两颗全新的通用快充和谈芯片,别离是RK835RK837。 

RK835通用快充和谈芯片

        4688美高梅微RK835是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0和谈芯片,TID4325。用于电源角色的USB Type-CPD物理层,并且支持E-Marker线缆供电,在超低功耗模式下,芯片耗电量低于10μA。RK835内部集成Arm Cortex-M0内核,60K Flash1K RAM来实现PD和其他专有和谈,可支持10万次以上的沉复烧录。RK835具备以下个性:

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·      内部集成的ADC能够陆续地检测电压,电流,温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

·      所有的GPIO均可配置成边缘触发中断,DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

·      支持I2C接口和主从模式,内部集成了输出放电职能

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压,可有效预防败坏的数据线造成产品败坏,并内置了过流、过压和过热;

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< 图为RK835+AC-DC典型利用电路 >

 

        RK835支持18100W输出,支持光耦反馈和PII2C接口的电源IC,选取QFN3*3-16封装。

 

RK837通用快充和谈芯片:支持恒压恒流

        4688美高梅微RK837是通过了PD2.0/PD3.0/PPS认证的PD3.0和谈芯片,TID5141。同时,也通过高通QC4+认证,证书编号20210303222。RK837内部集成ARM Cortex-M0内核,64K Flash2K RAM来实现PD和其他专有和谈,能够支持10万次以上的沉复烧录。具备以下个性:

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·      支持USB Type-CType-A双接口,支持I2C接口

·      集成NMOS驱动,VBUS开关管可使用低成本机能好的NMOS,内部集成急剧放电电路

·      内部集成高精度ADC,可实现3-22V10mV精度输出,使用5mΩ取样电阻,可实现0.1-12A12mA精度恒流

·      DP/DM/CC1/CC2引脚均支持26V耐压,可有效预防败坏的数据线造成产品败坏,芯片还内置了过流、过压和过热;

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< 图为RK837利用电路,支持1A1C输出,选取QFN4*4-24封装>

        4688美高梅微的两款通用快充和谈芯片,均选取了Arm Cortex-M0主题和大容量Flash,能够支持10万次以上的沉复烧录,方便客户凭据产品更换和谈;均具备数字I2C接口,支持丰硕的主流快充和谈,可能急剧便捷的与各类电源芯片对接。同时具备美满的;ぶ澳,引脚支持过压;,芯片内部支持美满的;ぶ澳,可实现单一靠得住的适配器设计。

 

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